3月18日，中国科学院微电子研究所副研究员毕津顺博士应邀来物联网工程学院交流访问。

　　毕津顺博士为师生做了题为“抗辐照SOI技术”的高水平专题学术讲座。他首先回顾了SOI技术的发展历史、与体硅工艺相比所具有的技术优点，介绍了主流的SOI生产工艺技术、SOI物理模型等，并重点介绍了SOI工艺中存在的各种辐照效应，比如单粒子效应和总剂量效应，还介绍了包括采用高密度体接触的电路结构等在内的各种抗辐照的SOI技术。

　　毕津顺博士还与部分教师、留学生以及本科生就中国科学院的科创计划等进行了深入探讨和交流。

　　来自校区相关院系的老师、研究生和本科生近100人参加了报告会。（王海滨）

（信息来源：物联网工程学院）